SiC MOSFET
阈值电压、漏电流、导通特性、栅氧响应及辐照后联合应力问题。
EN预约测试
验证方向
围绕器件和系统风险建立测试矩阵
工程假设只有在具体器件、批次、剂量、偏置和统计样本条件下得到数据支持后，才能进入设计决策。
GaN功率器件
根据器件结构和栅极方案定义偏置、静态参数与动态行为的验证条件。
IGBT与功率二极管
关注漏电、导通、阻断、开关和模块级输出等与应用相关的指标。
能力与结论边界：TID与短路、温度或动态偏置的联合研究属于项目化验证。网站文章中的工程推论不能直接作为航天、核安全或飞行控制策略使用。
工作路径
推荐的验证顺序
不要直接把新器件的保护阈值外推到辐照老化后的器件。
批次与基线
记录器件批次、封装、初始参数、功能状态和对照组。
TID与工作偏置
根据应用定义总剂量、剂量率、栅极/端口偏置和分步节点。
中间参数测量
在受控时间内记录阈值、漏电、导通、功能和必要的温度信息。
联合应力与失效分析
根据风险选择短路、温度或动态应力，并把结果限定在实际试验条件内。
预约测试
先说明您要验证什么
提供非敏感的器件类别、测试目的、目标剂量、偏置需求和计划时间，我们将安排对应专业人员进行初步评估。